指出普通地膜造成哪些主要危害，并分析使用“共混膜”的好處。危害：普通地膜不溶于水又難降解，長(cháng)期殘留在農田里，會(huì )影響土壤透氣性，阻礙水分流動(dòng)和農作物的根系發(fā)育。好處：充分利用了麥稈、蔗渣等農作物廢棄物，既提高了資源利用率，又改善了農村衛生條件；“共混膜”可自行降解，不產(chǎn)生“白色污染”。充分利用了麥稈、蔗渣等農作物廢棄物,改善了農村衛生條件;該薄膜可被微生物降解,防止白色污染。

因為灌根防病的需要，菜農會(huì )選擇將膜孔撕大。這樣，藥液就能準確的灌到根系周?chē)?，不僅勞動(dòng)量降低了，防病效果也更好。利用地膜覆蓋種植蔬菜，土壤濕度比不覆蓋的要好，不用頻繁澆水，能節約用水費用，土壤溫度比不覆蓋的高，有利于作物盡早出芽，盡快長(cháng)成壯苗，覆蓋地膜的地塊雜草比不覆蓋的要少得多，能做免耕種，有效避免凍害，還節省了除草的成本。

地膜覆蓋后，土壤增溫，水分也保持在適宜狀態(tài)，有利于土壤有機質(zhì)分解，加速礦化過(guò)程，轉化成可利用態(tài)。據山西省棉花研究所無(wú)苗盆栽測定，地膜覆蓋的土壤硝態(tài)氮不覆蓋處理，土壤磷含量也明顯無(wú)地膜覆蓋的。但在植棉條件下，地膜覆蓋的土壤硝態(tài)氮和磷含量都低于露地栽培。這是因為地膜覆蓋的棉株生育加快，代謝旺盛，吸收養分增多。這也是造成前期養分供應多、消耗多，使后期養分供應不足，棉株易于早發(fā)、早衰的一個(gè)重要原因。

地膜覆蓋對棉株生育的效應：根系：地膜覆蓋土壤溫度提高，水分適宜，結構改善，為根系生長(cháng)發(fā)育創(chuàng )造了良好的條件。主根深長(cháng)、粗壯；側根發(fā)生離地表較近，側根數量上層多而密集，下層少而稀疏；支根和小支根多而發(fā)達，也是上密下疏。耕作層中根系增加，下層根系減少，有利于吸收耕層的養分。根系活力明顯提高，吸收能力加強，干物質(zhì)積累多，傷流量增加，促進(jìn)苗期生育進(jìn)程和地上部營(yíng)養器官的旺盛生長(cháng)。但后期根系活力嚴重下降，早衰現象表現明顯。

三桃比例和結構地膜覆蓋栽培：可使棉株開(kāi)花期提早，這就改變了三桃比例和結構。各地試驗均證明，可增加伏前桃和伏桃，而且三桃結構也有了變化。伏前桃露地栽培條件下僅有、第二果枝的腳桃和小桃，而覆蓋田則增加部分中部果枝的大桃。伏桃除中部腰桃外，還增加部分中上部的棉桃。秋桃中大部分為早秋桃。地膜覆蓋棉株還能增加單株鈴數和鈴重。所以地膜覆蓋栽培具有增加產(chǎn)量、促進(jìn)早熟和改善纖維品質(zhì)的作用。

覆蓋膜具有加速土壤有機質(zhì)礦化的作用。這種效果只有在土壤富含有機物時(shí)才能發(fā)揮作用。因此，當用覆蓋物覆蓋覆蓋物時(shí)，應選擇有機物含量為1.5％或更多的土壤。該區塊是合適的，因此土壤的土壤具有良好的物理與化學(xué)性質(zhì)等因素，產(chǎn)量基數高。腹膜后，產(chǎn)量增加幅度大，經(jīng)濟效果更顯著(zhù)。

在地膜覆蓋栽培中，整地質(zhì)量是確定覆蓋栽培成敗的關(guān)鍵步驟之一。需要加深25~30 cm，采用鋤草，壟脊，鋤，裂等土壤栽培措施，去除前鋤的殘枝，落葉，雜草與細碎土塊，使土壤達到結構松散，透氣性好。地面干凈整潔，確保薄膜平整，有利于土壤與根部的深層水分運動(dòng)。

由于覆蓋栽培，土壤中有機質(zhì)的分解加速，有機質(zhì)的消耗量增加，含量迅速下降，作物生長(cháng)速度增加，養分吸收與利用質(zhì)量提高，所需的土壤養分遠遠超過(guò)一般的開(kāi)放田地。因此，為了植物對營(yíng)養的旺盛生長(cháng)需求，避免西葫蘆在西葫蘆中后期過(guò)早老化導致的產(chǎn)量減少，以及在覆蓋覆蓋的土地上施用分解有機肥，每畝約8000~10000公斤，其中1/3在翻土前退出，23在壟前脊，結合施用有機肥，施用磷酸鈣50~60 kg，硫酸鉀20千克，確保西葫蘆的高產(chǎn)量，以滿(mǎn)足肥料的需要。

西葫蘆采用覆蓋栽培，在保護區與露天土地上都有很多好處。，覆蓋在保護設施中的覆蓋膜可以有效地抑制表面蒸發(fā)，減少灌溉次數，提高地溫，從而緩解西葫蘆生產(chǎn)過(guò)程中濕度過(guò)大與地溫低的問(wèn)題，促進(jìn)生長(cháng)與西葫蘆的發(fā)展，實(shí)現早熟與產(chǎn)量增加。其次，在露地栽培中，地膜可以提高地溫，充分利用太陽(yáng)能，減少土壤的長(cháng)波輻射，起到保冷的作用。早春覆蓋后的耕層溫度通常比露地高2~4℃。同時(shí)，還可以改善土壤養分條件，保持土壤濕潤，疏松土壤，提高土壤滲透性，抑制雜草生長(cháng)。