關(guān)鍵詞 |
嫩江縣太陽(yáng)能并網(wǎng)發(fā)電,鐵嶺太陽(yáng)能并網(wǎng)發(fā)電,太陽(yáng)能并網(wǎng)發(fā)電廠(chǎng)家,大東區太陽(yáng)能并網(wǎng)發(fā)電 |
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薄膜太陽(yáng)能電池是用硅、硫化鎘、砷化鎵等薄膜為基體材料的太陽(yáng)能電池。薄膜太陽(yáng)能電池可以使用質(zhì)輕、價(jià)低的基底材料(如玻璃、塑料、陶瓷等)來(lái)制造,形成可產(chǎn)生電壓的薄膜厚度不到1微米,便于運輸和安裝。然而,沉淀在異質(zhì)基底上的薄膜會(huì )產(chǎn)生一些缺陷,因此現有的碲化鎘和銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池的規?;慨a(chǎn)轉換效率只有12%到14%,而其理論上限可達29%。如果在生產(chǎn)過(guò)程中能夠減少碲化鎘的缺陷,將會(huì )增加電池的壽命,并提高其轉化效率。這就需要研究缺陷產(chǎn)生的原因,以及減少缺陷和控制質(zhì)量的途徑。太陽(yáng)能電池界面也很關(guān)鍵,需要大量的研發(fā)投入。
由于技術(shù)和材料原因,單一電池的發(fā)電量是十分有限的,實(shí)用中的太陽(yáng)能電池是單一電池經(jīng)串、并聯(lián)組成的電池系統,稱(chēng)為電池組件(陣列)。單一電池是一只硅晶體二極管,根據半導體材料的電子學(xué)特性,當太陽(yáng)光照射到由P型和N型兩種不同導電類(lèi)型的同質(zhì)半導體材料構成的P-N結上時(shí),在一定的條件下,太陽(yáng)能輻射被半導體材料吸收,在導帶和價(jià)帶中產(chǎn)生非平衡載流子即電子和空穴。同于P-N結勢壘區存在著(zhù)較強的內建靜電場(chǎng),因而能在光照下形成電流密度J,短路電流Isc,開(kāi)路電壓Uoc。若在內建電場(chǎng)的兩側面引出電極并接上負載,理論上講由P-N結、連接電路和負載形成的回路,就有"光生電流"流過(guò),太陽(yáng)能電池組件就實(shí)現了對負載的功率P輸出。
太陽(yáng)能電池是一對光有響應并能將光能轉換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應的材料有許多種,如:?jiǎn)尉Ч?,多晶硅,非晶硅,砷化鎵,硒銦銅等。它們的發(fā)電原理基本相同,現以晶體硅為例描述光發(fā)電過(guò)程。
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