大硅片方面，目前中環(huán)股份主導的創(chuàng )新產(chǎn)品210硅片正在大幅擴產(chǎn)。相比隆基股份的182大硅片，210硅片目前在技術(shù)、經(jīng)濟性上的優(yōu)勢并不明顯，市場(chǎng)占有率明顯低于182大硅片。不過(guò)，相關(guān)人士透露，210硅片更適合下一代的N型電池，隨著(zhù)N型電池HJT與TOPCON技術(shù)之爭終有了結果，210硅片或有拓展機會(huì )。

硅是地殼上豐富的元素半導體, 性質(zhì)而工藝技術(shù)比較成熟,已成為固態(tài)電子器件的主要原料。為適應超大規模集成電路的需要,高完整性高均勻度(尤其是氧的分布) 的硅單晶制備技術(shù)正在發(fā)展。雖然在超速集成電路方面砷化鎵材料表現出的性，但尚不可能全面取代硅的地位。硅材料在各種晶體三極管、尤其是功率器件制造方面仍是主要的材料。無(wú)定形硅可能成為同單晶硅并列的重要硅材料。無(wú)定形硅和多晶硅太陽(yáng)電池的成功將使硅材料的消耗量急劇增加。

熱導率較大?；瘜W(xué)性質(zhì)穩定，又易于形成穩定的熱氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜實(shí)現PN結表面鈍化和保護，還可以形成金屬-氧化物-半導體結構,制造MOS場(chǎng)效應晶體管和集成電路。上述性質(zhì)使PN結具有良好特性，使硅器件具有耐高壓、反向漏電流小、、使用壽命長(cháng)、可靠性好、熱傳導好，并能在200高溫下運行等優(yōu)點(diǎn)。

目前，世界上絕大部分廠(chǎng)家采用傳統的改良西門(mén)子法生產(chǎn)硅料，作為成熟的技術(shù)路線(xiàn)，其降本增效潛力已近極限。作為硅料的保利協(xié)鑫十余年如一日，不斷尋求技術(shù)突破以實(shí)現提質(zhì)增效，其的、具有自主知識產(chǎn)權的硅烷流化床法顆粒硅（FBR法顆粒硅）技術(shù)已趨成熟，在產(chǎn)品純度、能耗、產(chǎn)能等各項指標上，均大幅改良西門(mén)子法。

在研究和生產(chǎn)中，硅材料與硅器件相互促進(jìn)。在第二次世界大戰中，開(kāi)始用硅制作雷達的高頻晶體檢波器。所用的硅純度很低又非單晶體。1950年制出只硅晶體管，提高了人們制備硅單晶的興趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅單晶成功。1953年又研究出無(wú)坩堝區域熔化法(FZ)，既可進(jìn)行物理提純又能拉制單晶。1955年開(kāi)始采用鋅還原四氯化硅法生產(chǎn)純硅，但不能滿(mǎn)足制造晶體管的要求。

在可再生能源逐漸替代石油能源的今天，進(jìn)行太陽(yáng)能電池板的長(cháng)期回收基礎設施建設對加快建設循環(huán)經(jīng)濟、真正實(shí)現可再生能源和經(jīng)濟的可持續發(fā)展，具有重要的意義。

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