隨著(zhù)二極管制與半導體的結合其生產(chǎn)材質(zhì)與制作工藝逐步升級，突破了原有光亮、顏色的限制，大量應用藍色二極管、發(fā)光二極管，提升了顯示光亮度。進(jìn)而提升了LED顯示屏幕在室外環(huán)境中的優(yōu)勢，可適應不同顯示要求，提升LED在不同環(huán)境中的有效價(jià)值。對于LED顯示屏性能的評價(jià)是綜合考量的結果，因其相關(guān)性能指標都是密切相關(guān)的，亮度、視角、分辨率等指標相互影響。當前在高密度、全彩色室內顯示屏中利用表貼LED器件提升顯示屏獲的視角、亮度性能。

采用LED光源進(jìn)行照明，取代耗電的白熾燈，然后逐步向整個(gè)照明市場(chǎng)進(jìn)軍，將會(huì )節約大量的電能。近期，白色LED已達到單顆用電超過(guò)1瓦，光輸出 25流明，也增大了它的實(shí)用性。

改變電流可以變色，發(fā)光二極管方便地通過(guò)化學(xué)修飾方法，調整材料的能帶結構和帶隙，實(shí)現紅黃綠藍橙多色發(fā)光。如小電流時(shí)為紅色的LED，隨著(zhù)電流的增加，可以依次變?yōu)槌壬?，黃色，后為綠色。

早應用半導體P-N結發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀60年代初。當時(shí)所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅動(dòng)電流為20 毫安時(shí)，光通量只有千分之幾個(gè)流明，相應的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產(chǎn)生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

90年代初，發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開(kāi)發(fā)成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹(shù)脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光?，F在，對于InGaN/YAG白色LED，通過(guò)改變YAG 熒光粉的化學(xué)組成和調節熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

表一列出了目前白色LED的種類(lèi)及其發(fā)光原理。從表中也可以看出某些種類(lèi)的白色LED光源離不開(kāi)四種熒光粉：即三基色稀土紅、綠、藍粉和石榴石結構的黃色粉，在未來(lái)較被看好的是三波長(cháng)光，即以無(wú)機紫外光晶片加R.G.B三顏色熒光粉，用于封裝LED白光，預計三波長(cháng)白光LED有商品化的機機會(huì )。但此處三基色熒光粉的粒度要求比較小，穩定性要求也高，具體應用方面還在探索之中。

近幾年,白光LED的研發(fā)成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發(fā)表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產(chǎn)生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅動(dòng)于350mA下;美國LED大廠(chǎng)Cree公司宣布,其白光發(fā)光二極管實(shí)現每瓦161lm/W.可見(jiàn),白光LED在高發(fā)光效率,高照明方面有著(zhù)誘人的前景.

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