現有晶圓片生產(chǎn)過(guò)程中,需要從一道生產(chǎn)工序轉移到下一道生產(chǎn)上,現有技術(shù)中依靠人力進(jìn)行傳送,傳送過(guò)程的耗費人力,且人為傳送力道不能掌握,容易造成破片。為此,我們提供了一種自動(dòng)晶圓傳片器以解決以上問(wèn)題。

晶圓經(jīng)過(guò)前道工席后芯片制備完成，還需要經(jīng)過(guò)切割使晶圓上的芯片分離下來(lái)，后進(jìn)行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問(wèn)題，但是在100um以上時(shí)，生產(chǎn)效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會(huì )對晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過(guò)程更為復雜。

頂面碎片，它發(fā)生晶圓的頂面，變成一個(gè)合格率問(wèn)題，當切片接近芯片的有源區域時(shí)，主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進(jìn)給速度。
背面碎片發(fā)生在晶圓的底面，當大的、不規則微小裂紋從切割的底面擴散開(kāi)并匯合到一起的時(shí)候。當這些微小裂紋足夠長(cháng)而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時(shí)候，BSC變成一個(gè)合格率問(wèn)題。如果背面碎片的尺寸在10um以下，忽略不計。另一方面，當尺寸大于25um時(shí)，可以看作是潛在的受損?？墒?，50um的平均大小可以接受，示晶圓的厚度而定。

在切片或任何其它磨削過(guò)程中，在不超出可接受的切削質(zhì)量參數時(shí)，新一代的切片系統可以自動(dòng)監測施加在刀片上的負載，或扭矩。對于每一套工藝參數，都有一個(gè)切片質(zhì)量下降和BSC出現的極限扭矩值。切削質(zhì)量與刀片基板相互作用力的相互關(guān)系，和其變量的測量使得可以決定工藝偏差和損傷的形成。工藝參數可以實(shí)時(shí)調整，使得不超過(guò)招矩極限和獲得大的進(jìn)給速度。
外圓切割組然操作簡(jiǎn)單，但據片剛性差，切割全過(guò)程中鋸片易方向跑偏.造成被切割工們的平面度差；而內圓切割只有進(jìn)行直線(xiàn)切割，沒(méi)法進(jìn)行斜面切割。線(xiàn)鋸切割技術(shù)具備割縫窄、率、切成片、可進(jìn)行曲線(xiàn)圖切別等優(yōu)點(diǎn)成為口前普遍選用的切割技術(shù)。
硅圓片切割應用的目的是將產(chǎn)量和合格率大，同時(shí)資產(chǎn)擁有的成本小?？墒?，挑戰是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進(jìn)給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著(zhù)進(jìn)給速度增加，切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內。進(jìn)給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準運算的設備。

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