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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極晶體管，是一種功率半導體器件。它于1983年由B.J.朗琴伯格、C.尼德哈格和G.W.戴特梅爾等人首次提出，并在1986年得到商業(yè)化。IGBT結合了普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)（低壓控制能力）和場(chǎng)效應晶體管（高速開(kāi)關(guān)特性、高輸入阻抗）的優(yōu)勢，因此其功率開(kāi)關(guān)特性更強。以下是一個(gè)比較全面的解答。

結構：IGBT的主要元件結構由N型共尺寸加強柵柵極、在PN結上安放的PNP雙極晶體管及兩個(gè)一對串聯(lián)的阱極內的MOS柵柵極組成。

工作原理：在IGBT中，柵極控制了PNP雙極晶體管的發(fā)射層，從而控制整體的電流流動(dòng)。當柵極上的電壓高于臨界電壓（一般為0.6-1.5V），柵極-發(fā)射結結疏散，使電流無(wú)法從集電極流過(guò)，因此器件處于關(guān)斷狀態(tài)。當柵極電壓低于臨界電壓，柵結閉合，開(kāi)啟PNP晶體管，使電流可以流過(guò)，器件處于導通狀態(tài)。

特點(diǎn)：
1. 高壓能力：IGBT可以承受幾百伏甚至千伏的高電壓，適用于高壓應用，如電力電子領(lǐng)域。
2. 低導通壓降：相比其他功率半導體器件，IGBT具有較低的導通壓降，能夠降低能量損耗。
3. 高開(kāi)關(guān)速度：IGBT的開(kāi)關(guān)速度相對較高，能夠實(shí)現快速開(kāi)關(guān)，提高功率轉換效率。
4. 大電流控制能力：IGBT能夠承受較大的電流，適用于大功率應用。
5. 可靠性：IGBT具有較高的可靠性，長(cháng)壽命，能夠在苛刻的工作環(huán)境下穩定工作。
6. 可驅動(dòng)性：由于采用了MOS結構，IGBT的輸入阻抗較低，容易驅動(dòng)。

應用：
1. 變頻器：IGBT廣泛應用于交流電驅動(dòng)系統中，如變頻空調、風(fēng)力發(fā)電機組等。
2. 電力電子領(lǐng)域：IGBT能夠實(shí)現高壓、大電流的開(kāi)關(guān)操作，因此在電力電子設備中得到廣泛應用，如高壓直流輸電、變電站等。
3. 汽車(chē)電子：IGBT用于汽車(chē)發(fā)動(dòng)機控制系統、電動(dòng)車(chē)輛驅動(dòng)系統等。
4. 電源及逆變器：IGBT常用于電源和逆變器，提供穩定的電能轉換。

總結：IGBT作為一種功率半導體器件，在電力電子和控制系統中占據重要地位。它具有高壓能力、低導通壓降、高開(kāi)關(guān)速度、大電流控制能力、可靠性和可驅動(dòng)性等特點(diǎn)，被廣泛應用于變頻器、電力電子設備、汽車(chē)電子和電源及逆變器等領(lǐng)域，推動(dòng)了現代電子技術(shù)的發(fā)展。