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早應用半導體P-N結發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀60年代初。當時(shí)所用的材料是GaAsP,發(fā)紅光(λp=650nm),在驅動(dòng)電流為20 毫安時(shí),光通量只有千分之幾個(gè)流明,相應的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期,引入元素In和N,使LED產(chǎn)生綠光(λp=555nm),黃光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。
90年代初,發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開(kāi)發(fā)成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在紅、橙區(λp=615nm)的光效達到100流明/瓦,而后者制成的LED在綠色區域(λp=530nm)的光效可以達到50流明/瓦。
表一列出了目前白色LED的種類(lèi)及其發(fā)光原理。從表中也可以看出某些種類(lèi)的白色LED光源離不開(kāi)四種熒光粉:即三基色稀土紅、綠、藍粉和石榴石結構的黃色粉,在未來(lái)較被看好的是三波長(cháng)光,即以無(wú)機紫外光晶片加R.G.B三顏色熒光粉,用于封裝LED白光,預計三波長(cháng)白光LED有商品化的機機會(huì )。但此處三基色熒光粉的粒度要求比較小,穩定性要求也高,具體應用方面還在探索之中。
近幾年,白光LED的研發(fā)成果:2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發(fā)表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產(chǎn)生138 lm與155 lm(lumen,流明),他們均使用1mm大小的芯片并驅動(dòng)于350mA下;美國LED大廠(chǎng)Cree公司宣布,其白光發(fā)光二極管實(shí)現每瓦161lm/W.可見(jiàn),白光LED在高發(fā)光效率,高照明方面有著(zhù)誘人的前景.
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