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隨著(zhù)二極管制與半導體的結合其生產(chǎn)材質(zhì)與制作工藝逐步升級,突破了原有光亮、顏色的限制,大量應用藍色二極管、發(fā)光二極管,提升了顯示光亮度。進(jìn)而提升了LED顯示屏幕在室外環(huán)境中的優(yōu)勢,可適應不同顯示要求,提升LED在不同環(huán)境中的有效價(jià)值。對于LED顯示屏性能的評價(jià)是綜合考量的結果,因其相關(guān)性能指標都是密切相關(guān)的,亮度、視角、分辨率等指標相互影響。當前在高密度、全彩色室內顯示屏中利用表貼LED器件提升顯示屏獲的視角、亮度性能。
采用LED光源進(jìn)行照明,取代耗電的白熾燈,然后逐步向整個(gè)照明市場(chǎng)進(jìn)軍,將會(huì )節約大量的電能。近期,白色LED已達到單顆用電超過(guò)1瓦,光輸出 25流明,也增大了它的實(shí)用性。
早應用半導體P-N結發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀60年代初。當時(shí)所用的材料是GaAsP,發(fā)紅光(λp=650nm),在驅動(dòng)電流為20 毫安時(shí),光通量只有千分之幾個(gè)流明,相應的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。
70年代中期,引入元素In和N,使LED產(chǎn)生綠光(λp=555nm),黃光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。
到了80年代初,出現了GaAlAs的LED光源,使得紅色LED的光效達到10流明/瓦。
90年代初,發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開(kāi)發(fā)成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在紅、橙區(λp=615nm)的光效達到100流明/瓦,而后者制成的LED在綠色區域(λp=530nm)的光效可以達到50流明/瓦。
GaN芯片發(fā)藍光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射,峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中,覆蓋以混有YAG的樹(shù)脂薄層,約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收,另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合,可以得到得白光?,F在,對于InGaN/YAG白色LED,通過(guò)改變YAG 熒光粉的化學(xué)組成和調節熒光粉層的厚度,可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。
廣泛應用于:廣場(chǎng)、國慶慶典、休閑廣場(chǎng)、大型娛樂(lè )廣場(chǎng)、繁華商貿中心、廣告信息發(fā)布牌、商業(yè)街、火車(chē)站、候車(chē)室、演藝中心、電視直播現場(chǎng)、展覽場(chǎng)館、演唱會(huì )現場(chǎng)等場(chǎng)所。
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