采用LED光源進(jìn)行照明，取代耗電的白熾燈，然后逐步向整個(gè)照明市場(chǎng)進(jìn)軍，將會(huì )節約大量的電能。近期，白色LED已達到單顆用電超過(guò)1瓦，光輸出 25流明，也增大了它的實(shí)用性。

LED使用低壓電源，供電電壓在6-24V之間，根據產(chǎn)品不同而異，所以它是一個(gè)比使用高壓電源更安全的電源，特別適用于公共場(chǎng)所。

改變電流可以變色，發(fā)光二極管方便地通過(guò)化學(xué)修飾方法，調整材料的能帶結構和帶隙，實(shí)現紅黃綠藍橙多色發(fā)光。如小電流時(shí)為紅色的LED，隨著(zhù)電流的增加，可以依次變?yōu)槌壬?，黃色，后為綠色。

早應用半導體P-N結發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀60年代初。當時(shí)所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅動(dòng)電流為20 毫安時(shí)，光通量只有千分之幾個(gè)流明，相應的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。
70年代中期，引入元素In和N，使LED產(chǎn)生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。
到了80年代初，出現了GaAlAs的LED光源，使得紅色LED的光效達到10流明/瓦。
90年代初，發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開(kāi)發(fā)成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹(shù)脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光?，F在，對于InGaN/YAG白色LED，通過(guò)改變YAG 熒光粉的化學(xué)組成和調節熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

廣泛應用于：廣場(chǎng)、國慶慶典、休閑廣場(chǎng)、大型娛樂(lè )廣場(chǎng)、繁華商貿中心、廣告信息發(fā)布牌、商業(yè)街、火車(chē)站、候車(chē)室、演藝中心、電視直播現場(chǎng)、展覽場(chǎng)館、演唱會(huì )現場(chǎng)等場(chǎng)所。