色溫RGBWIPIP65

樓體的亮化設計在我們生活中出現的越來(lái)越多，那么大家是否了解樓體亮化設計過(guò)程中常見(jiàn)的問(wèn)題都有哪些嗎?下面詳細為大家介紹：1、樓體亮化設計需采用不同照明方式相結合，通過(guò)結合不同的照明方式，如內透光照明設計、投光照明設計、特種照明設計或者樓體輪廓照明設計，可以形成點(diǎn)、線(xiàn)、面不同的樓體照明效果，增加建筑樓體的層次感

照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-V特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進(jìn)入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發(fā)光。
假設發(fā)光是在P區中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個(gè)中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見(jiàn)光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結面數μm以?xún)犬a(chǎn)生。
理論和實(shí)踐證明，光的峰值波長(cháng)λ與發(fā)光區域的半導體材料帶隙Eg有關(guān)，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產(chǎn)生可見(jiàn)光（波長(cháng)在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長(cháng)長(cháng)的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管，但其中藍光二極管成本、價(jià)格很高，使用不普遍。

高新尖:與傳統光源單調的發(fā)光效果相比，LED光源是低壓微電子產(chǎn)品，成功融合了計算機技術(shù)、網(wǎng)絡(luò )通信技術(shù)、圖像處理技術(shù)、嵌入式控制技術(shù)等，所以亦是數字信息化產(chǎn)品，是半導體光電器件"高新尖"技術(shù)，具有在線(xiàn)編程，無(wú)限升級，靈活多變的特點(diǎn)。