實(shí)時(shí)多通道并行圖像處理,專(zhuān)利技術(shù)的全硬件架構,無(wú)運動(dòng)拖尾和鋸齒；　單機高可以支持30720*1080LED等效點(diǎn)陣,多機并聯(lián)可以驅動(dòng)無(wú)限幅度LED點(diǎn)陣； APSP技術(shù),自定義圖像輸出的大小以及輸出位置。 具有值機功能，即可以通過(guò)監視器時(shí)時(shí)觀(guān)看LED大屏幕的狀態(tài)(選配)。 幀同步技術(shù)，各輸出圖像間無(wú)錯位和延遲； 多窗口控制疊加顯示技術(shù),實(shí)現任意信號的窗口疊加、漫游、縮放以及無(wú)縫切換； 針對LED顯示領(lǐng)域的多種特殊顯示驅動(dòng)模式； 所見(jiàn)即所得軟件操控界面，無(wú)需復雜的窗口預設操作； 16種不同模式場(chǎng)景預設； 預留LED發(fā)送卡槽位，系統高度集成； 高可靠性和穩定性，7天 / 24小時(shí)應用。 LED圖像處理器，內部無(wú)操作系統支持，上電即可工作，穩定性高。 16種不同模式場(chǎng)景預設； 預留LED發(fā)送卡槽位，系統高度集成； 高可靠性和穩定性，7天 / 24小時(shí)應用。 LED圖像處理器，內部無(wú)操作系統支持，上電即可工作，穩定性高。

超大場(chǎng)景顯示 顯示條件：多張發(fā)射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏； 信號情況：多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號（選配）。 實(shí)現功能：選擇其中一路在超大分辨率LED屏體上顯示。根據用戶(hù)的需求，可以采用不同的顯示模式，具體為： A．滿(mǎn)屏模式 輸入的信號通過(guò) LED圖像拼接處理器，在整個(gè)LED屏體上滿(mǎn)屏顯示。 如果LED拼接的顯示比例與輸入信號的比例不一致時(shí)，畫(huà)面將出現自動(dòng)拉伸或者壓縮等變形。該模式往往應用于背景影像內容的顯示； B．等比模式 輸入的信號通過(guò) LED圖像拼接處理器時(shí)，根據輸入信號的比例格式，等比例在整個(gè)LED屏體上。畫(huà)面等比顯示時(shí)， LED屏體的上下或者左右會(huì )因為沒(méi)有內容顯示而曾現黑色。該模式往往應用于人像顯示或者領(lǐng)導講話(huà)的場(chǎng)景內容。 C．全屏等比模式 輸入的信號通過(guò)LED圖像拼接處理器時(shí)，根據輸入信號的比例以及屏體的顯示點(diǎn)陣分布情況，將輸入的內容采用像素抓取技術(shù)，截取與LED屏體比例一致的顯示，在整個(gè)LED屏體上放大顯示。該模式應用于對現場(chǎng)情景需要展現的內容；

多路信號同步實(shí)時(shí)顯示 顯示條件：多張發(fā)射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏； 信號情況：多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號（選配）。 實(shí)現功能：選擇其中多路在超大分辨率LED屏體上同時(shí)顯示。

輸入信號任意堆疊SOIS（superimpose of any input signal）技術(shù) 多種圖像信號混合疊加，不同分辨率，不同的視頻格式同時(shí)顯示以及無(wú)縫切換。實(shí)現窗口疊加、漫游、縮放的功能。 多種不同輸入/輸出信號 輸入信號 主通道：2路CVBS，1路VGA，1路DVI，1路YPbPr，（可選配支持HDMI，SDI，HDSDI）； 子通道：每個(gè)子通道可以支持1路CVBS，1路VGA 輸出信號 VGA 輸出：1 路計算機模擬信號輸出，可連接本地顯示器用做監視； DVI 輸出：多路DVI 路計算機數字信號輸出，接駁 LED 發(fā)送卡(內置或者外置均可);

采用LED光源進(jìn)行照明，取代耗電的白熾燈，然后逐步向整個(gè)照明市場(chǎng)進(jìn)軍，將會(huì )節約大量的電能。近期，白色LED已達到單顆用電超過(guò)1瓦，光輸出 25流明，也增大了它的實(shí)用性。

50年前人們已經(jīng)了解半導體材料可產(chǎn)生光線(xiàn)的基本知識，個(gè)商用二極管產(chǎn)生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode（發(fā)光二極管）的縮寫(xiě)，它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料，置于一個(gè)有引線(xiàn)的架子上，然后四周用環(huán)氧樹(shù)脂密封，起到保護內部芯線(xiàn)的作用，所以L(fǎng)ED的抗震性能好。

改變電流可以變色，發(fā)光二極管方便地通過(guò)化學(xué)修飾方法，調整材料的能帶結構和帶隙，實(shí)現紅黃綠藍橙多色發(fā)光。如小電流時(shí)為紅色的LED，隨著(zhù)電流的增加，可以依次變?yōu)槌壬?，黃色，后為綠色。

90年代初，發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開(kāi)發(fā)成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹(shù)脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光?，F在，對于InGaN/YAG白色LED，通過(guò)改變YAG 熒光粉的化學(xué)組成和調節熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。