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半導體晶片由兩部分組成,一部分是P型半導體,在它里面空穴占主導地位,另一端是N型半導體,在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來(lái)的時(shí)候,它們之間就形成一個(gè)P-N結。當電流通過(guò)導線(xiàn)作用于這個(gè)晶片的時(shí)候,電子就會(huì )被推向P區,在P區里電子跟空穴復合,然后就會(huì )以光子的形式發(fā)出能量,這就是LED燈發(fā)光的原理。而光的波長(cháng)也就是光的顏色,是由形成P-N結的材料決定的。
高新技術(shù):與傳統光源的發(fā)光效果相比,LED光源是低壓微電子產(chǎn)品,成功地融合了計算機技術(shù)、網(wǎng)絡(luò )通信技術(shù)、圖像處理技術(shù)和嵌入式控制技術(shù)等。傳統LED燈中使用的芯片尺寸為0.25mmX0.25nm,而照明用LED的尺寸一般都要在1.0mmX1.0mm以上。LED裸片成型的工作臺式結構、倒金字塔結構和倒裝芯片設計能夠改善其發(fā)光效率,從而發(fā)出更多的光。LED封裝設計方面的包括高傳導率金屬塊基底、倒裝芯片設計和裸盤(pán)澆鑄式引線(xiàn)框等,采用這些方法都能設計出高功率、低熱阻的器件,而且這些器件的照度比傳統LED產(chǎn)品的照度更大。
一個(gè)典型的高光通量LED器件能夠產(chǎn)生幾流明到數十流明的光通量,更新的設計可以在一個(gè)器件中集成更多的LED,或者在單個(gè)組裝件中安裝多個(gè)器件,從而使輸出的流明數相當于小型白熾燈。例如,一個(gè)高功率的12芯片單色LED器件能夠輸出200lm的光能量,所消耗的功率在10~15W之間。
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