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功率管發(fā)熱
關(guān)于這個(gè)問(wèn)題，也見(jiàn)到過(guò)有人在論壇發(fā)過(guò)貼。
功率管的功耗分成兩部分，開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗。
要注意，大多數場(chǎng)合特別是LED市電驅動(dòng)應用，開(kāi)關(guān)損害要遠大于導通損耗。
開(kāi)關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決：A、不能片面根據導通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管，因為內阻越小，cgs和cgd電容越大。
這個(gè)也是用戶(hù)在調試過(guò)程中比較常見(jiàn)的現象，降頻主要由兩個(gè)方面導致。輸入電壓和負載電壓的比例小、系統干擾大。
對于前者，注意不要將負載電壓設置的太高，雖然負載電壓高，效率會(huì )高點(diǎn)。
對于后者，可以嘗試以下幾個(gè)方面：
a、將小電流設置的再小點(diǎn)；
b、布線(xiàn)干凈點(diǎn)，特別是sense這個(gè)關(guān)鍵路徑；
c、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感；
d、加RC低通濾波吧，這個(gè)影響有點(diǎn)不好，C的一致性不好，偏差有點(diǎn)大，不過(guò)對于照明來(lái)說(shuō)應該夠了。
無(wú)論如何降頻沒(méi)有好處，只有壞處，所以一定要解決。
開(kāi)關(guān)次數的影響：多數電源設有電容器輸入型的整流回路，在通入電源時(shí)，會(huì )產(chǎn)生浪涌電流，導致開(kāi)關(guān)接點(diǎn)疲勞，引發(fā)接觸電阻增大及吸附等問(wèn)題。理論上認為，在電源期望壽命期間，開(kāi)關(guān)的通斷次數約有10000次。
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