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對于一般照明而言，人們更需要白色的光源。1998年發(fā)白光的LED開(kāi)發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石（YAG）封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光射，峰值550nLED燈m。藍光LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹(shù)脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到白光。
降低線(xiàn)路損耗，對電網(wǎng)。功率因數≥0.9，諧波失真≤20%，EMI符合全球指標，降低了供電線(xiàn)路的電能損耗和避免了對電網(wǎng)的高頻干擾污染。
一個(gè)典型的高光通量LED器件能夠產(chǎn)生幾流明到數十流明的光通量，更新的設計可以在一個(gè)器件中集成更多的LED，或者在單個(gè)組裝件中安裝多個(gè)器件，從而使輸出的流明數相當于小型白熾燈。例如，一個(gè)高功率的12芯片單色LED器件能夠輸出200lm的光能量，所消耗的功率在10~15W之間。
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