色溫RGBWIPIP65

據劉武軍介紹，鄭州市的夜景亮化工程中，行政事業(yè)單位付出的電費由財政支出;樓體亮化中開(kāi)發(fā)商付出的費用，由補助40%;銀行、學(xué)校、商業(yè)建筑等所用的電費，由補助50%。"的助力，在很大程度上了夜景亮化工程的順利進(jìn)行。"



照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-V特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區注入P區，空穴由P區注入N區。進(jìn)入對方區域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發(fā)光。
假設發(fā)光是在P區中發(fā)生的，那么注入的電子與價(jià)帶空穴直接復合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個(gè)中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見(jiàn)光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區內發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結面數μm以?xún)犬a(chǎn)生。
理論和實(shí)踐證明，光的峰值波長(cháng)λ與發(fā)光區域的半導體材料帶隙Eg有關(guān)，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產(chǎn)生可見(jiàn)光（波長(cháng)在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長(cháng)長(cháng)的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管，但其中藍光二極管成本、價(jià)格很高，使用不普遍。

隨著(zhù)LED陸續導入室內、室外照明市場(chǎng)，LED照明價(jià)格也大幅下降，但品質(zhì)參差不齊也導致問(wèn)題叢生，據指出，各地陸續訂定LED照明規范，多項強制性照明標準將從2012年起上路，將可望加速淘汰劣質(zhì)品的惡性競爭，進(jìn)而帶動(dòng)LED照明市場(chǎng)洗牌效應。
由于LED照明應用日趨普遍及多元，臺灣經(jīng)濟部標準局陸續制定多項LED照明標準，繼LED路燈規范制定腳步公布，2010年底又頒布3項常見(jiàn)LED室內燈標準，包括LED T8直管燈管、LED投光燈以及輕鋼架燈(含平板燈)等，業(yè)界指出，盡管相關(guān)標準規范已定，但LED路燈經(jīng)過(guò)多年推廣，到2012年才可望擴大安裝，由于導入緩慢加上預算編列作業(yè)，估計要到2013~2014年才可望釋出采購標案。