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很多特殊場(chǎng)景下一個(gè)顯示屏需要顯示多個(gè)相同或不同信號的畫(huà)面,具備多畫(huà)面處理功能的視頻處理器,可以靈活地滿(mǎn)足這樣的顯示要求。 戶(hù)外顯示屏因受地域天氣等影響這就要求視頻處理器要有更的畫(huà)質(zhì)提升能力,具備的圖像縮放處理算法,來(lái)視頻圖像經(jīng)縮放處理后,大程度的保持圖像的清晰度和灰度層次。另外,還需要視頻處理器有豐富的圖像調節選項和調節效果,對圖像亮度、對比度、灰度進(jìn)行處理,以屏幕輸出柔和清晰的畫(huà)面。
超大場(chǎng)景顯示 顯示條件:多張發(fā)射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏; 信號情況:多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號(選配)。 實(shí)現功能:選擇其中一路在超大分辨率LED屏體上顯示。根據用戶(hù)的需求,可以采用不同的顯示模式,具體為: A.滿(mǎn)屏模式 輸入的信號通過(guò) LED圖像拼接處理器,在整個(gè)LED屏體上滿(mǎn)屏顯示。 如果LED拼接的顯示比例與輸入信號的比例不一致時(shí),畫(huà)面將出現自動(dòng)拉伸或者壓縮等變形。該模式往往應用于背景影像內容的顯示; B.等比模式 輸入的信號通過(guò) LED圖像拼接處理器時(shí),根據輸入信號的比例格式,等比例在整個(gè)LED屏體上。畫(huà)面等比顯示時(shí), LED屏體的上下或者左右會(huì )因為沒(méi)有內容顯示而曾現黑色。該模式往往應用于人像顯示或者領(lǐng)導講話(huà)的場(chǎng)景內容。 C.全屏等比模式 輸入的信號通過(guò)LED圖像拼接處理器時(shí),根據輸入信號的比例以及屏體的顯示點(diǎn)陣分布情況,將輸入的內容采用像素抓取技術(shù),截取與LED屏體比例一致的顯示,在整個(gè)LED屏體上放大顯示。該模式應用于對現場(chǎng)情景需要展現的內容;
多路信號同步實(shí)時(shí)顯示 顯示條件:多張發(fā)射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏; 信號情況:多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號(選配)。 實(shí)現功能:選擇其中多路在超大分辨率LED屏體上同時(shí)顯示。
根據用戶(hù)的需求,可以采用不同的顯示模式,包括窗口顯示、疊加、漫游等,具體為: A.疊加模式 以主采集信號為背景在LED屏體上顯示,其他信號通過(guò)子采集卡以畫(huà)面疊加方式開(kāi)窗顯示; B.分屏模式 多路信號通過(guò) LED拼接圖像處理器后,分別輸送給每張發(fā)射卡顯示不同的畫(huà)面內容;處理的信號路數與發(fā)射卡的路數相同。 C.主題模式 多路信號通過(guò) LED拼接圖像處理器后,對于某路需要特別的信號,可以分送給多張發(fā)射卡顯示一大幅的畫(huà)面,其他信號別輸送給每張發(fā)射卡立顯示;
50年前人們已經(jīng)了解半導體材料可產(chǎn)生光線(xiàn)的基本知識,個(gè)商用二極管產(chǎn)生于1960年。LED是英文LightEmittingDiode(發(fā)光二極管)的縮寫(xiě),它的基本結構是一塊電致發(fā)光的半導體材料,置于一個(gè)有引線(xiàn)的架子上,然后四周用環(huán)氧樹(shù)脂密封,起到保護內部芯線(xiàn)的作用,所以L(fǎng)ED的抗震性能好。
早應用半導體P-N結發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀60年代初。當時(shí)所用的材料是GaAsP,發(fā)紅光(λp=650nm),在驅動(dòng)電流為20 毫安時(shí),光通量只有千分之幾個(gè)流明,相應的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期,引入元素In和N,使LED產(chǎn)生綠光(λp=555nm),黃光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。
90年代初,發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍光的GaInN兩種新材料的開(kāi)發(fā)成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在紅、橙區(λp=615nm)的光效達到100流明/瓦,而后者制成的LED在綠色區域(λp=530nm)的光效可以達到50流明/瓦。
GaN芯片發(fā)藍光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射,峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中,覆蓋以混有YAG的樹(shù)脂薄層,約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收,另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合,可以得到得白光?,F在,對于InGaN/YAG白色LED,通過(guò)改變YAG 熒光粉的化學(xué)組成和調節熒光粉層的厚度,可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。
近幾年,白光LED的研發(fā)成果:2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發(fā)表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產(chǎn)生138 lm與155 lm(lumen,流明),他們均使用1mm大小的芯片并驅動(dòng)于350mA下;美國LED大廠(chǎng)Cree公司宣布,其白光發(fā)光二極管實(shí)現每瓦161lm/W.可見(jiàn),白光LED在高發(fā)光效率,高照明方面有著(zhù)誘人的前景.
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