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對于一般照明而言，人們更需要白色的光源。1998年發(fā)白光的LED開(kāi)發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石（YAG）封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光射，峰值550nLED燈m。藍光LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹(shù)脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到白光。
降低線(xiàn)路損耗，對電網(wǎng)。功率因數≥0.9，諧波失真≤20%，EMI符合全球指標，降低了供電線(xiàn)路的電能損耗和避免了對電網(wǎng)的高頻干擾污染。
高新技術(shù)：與傳統光源的發(fā)光效果相比，LED光源是低壓微電子產(chǎn)品，成功地融合了計算機技術(shù)、網(wǎng)絡(luò )通信技術(shù)、圖像處理技術(shù)和嵌入式控制技術(shù)等。傳統LED燈中使用的芯片尺寸為0.25mmX0.25nm，而照明用LED的尺寸一般都要在1.0mmX1.0mm以上。LED裸片成型的工作臺式結構、倒金字塔結構和倒裝芯片設計能夠改善其發(fā)光效率，從而發(fā)出更多的光。LED封裝設計方面的包括高傳導率金屬塊基底、倒裝芯片設計和裸盤(pán)澆鑄式引線(xiàn)框等，采用這些方法都能設計出高功率、低熱阻的器件，而且這些器件的照度比傳統LED產(chǎn)品的照度更大。
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